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至尊少年王向右看 中科院攻克2nm芯片关键技术,我国芯片制造是否已达到世界领先? 剑祖txt下载 都市小刁民

发表于 2020-1-16 18:57 | 620 显示全部楼层 |阅读模式

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发表于 2020-1-16 18:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
这是写在帖子头部的内容近来两年时候我国芯片研讨喜报不停,克日中科院对外公布,中国科学院所研发出了新型垂直纳米环珊晶体管,这类新型晶体管被视为2nm及以下工艺的严重技术候,这意味着这项技术成熟后,国产2nm芯片有望乐成破冰,这个比之前三星所公布的3nm工艺必要采取的GAA围绕珊极晶体管性能更强,功耗更低。
中科院攻克2nm芯片关键技术,我国芯片制造是否已达到世界领先?  新闻


看到这个消息确切黑白常使人奋发的,甚至有很多人以为,这个技术的诞买卖味着我国的芯片制造已经到达了全国领先水平。
不外对于中科院2nm纳米芯片制造技术的诞生,我们要客观地看待,这一技术的诞生说明现在我国的芯片计划本事已经处于全国火线,跟全国顶尖国家的底子上属于同一个水平 。但芯片制造不是芯片计划这么简单,它所触及的各个范围黑白常复杂的,客观的讲,现在我国的芯片制造气力跟全国先辈水平另有较大的差异。


说到芯片,这不停是很多中百姓心中的一个痛,在今世制造业傍边,芯片可谓是焦点中的焦点,是控制众多先辈制造业的焦点零部件。但作为举世芯片消耗最大的国家之一,不停以来我国的芯片研讨却跟不上我国芯片的消耗增加速度。长久以来我国大部分芯片出格是那些高端芯片,底子上都是依靠进口的,而一旦发生一些贸易争端以后,就很轻易被他人卡着脖子,这对于我国经济来说黑白常倒霉的。


幸亏近来几年我国加大了对芯片的研发力度,而且芯片的研发也获得了一些喜人的成果。


1、我国的芯片计划本事已经处于全国火线。


在举世芯片计划范围,我国的华为海思已经处于全国先辈行列,已经已经具有了自立计划7nm纳米芯片的气力,再加上本次中科院2nm芯片历史的诞生,说明我国的心电计划本事已经处于全国顶尖国家行列。
中科院攻克2nm芯片关键技术,我国芯片制造是否已达到世界领先?  新闻


除了华为和中科院之外之外,现在我国另有很多芯片计划企业,他们的气力也不容小觑,比如刚建立未几的平头哥,他所研发的AI芯片含光800,其性能已经在处于行业火线。按照MLPerf基准同盟公布的首轮AI推理基准测试成果,阿里巴巴平头哥的AI芯片含光800在Resnet50基准测试中获得单芯片性能第一。
据中国工程院院士倪光南表示,现在我国的芯片企业在数目上已经位居全国第一,芯片的整体计划水平已经到达了全国第二,可以看出我国芯片计划本事进步黑白常明显的。
2、我国的芯片制造进步也很是明显。
不停以来我国的芯片制造严重会合在90纳米以下的低端芯片,很多高端芯片都严厉依靠进口,不外近来两年时候,我国的一些芯片企业也具有了生产高端芯片的气力。
比如中芯国际从2015年起头就研发了14纳米芯片,现在良品率已经到达了95%以上。近来一段时候,中芯国际已经官宣,位于上海浦东张江哈雷路上的芯片制造公司,14纳米的芯片生产线已经正式量产。这让中芯国际跟台积电,三星等顶尖芯片企业的差异进一步缩小。
3、芯片制造所需的焦点零部件之一蚀刻机,我国也是属于全国火线的。
说到芯片制造大家都晓得光刻机黑白常关键的一个环节,但除了光刻机之外,蚀刻机一样也黑白常关键的一个环节。
在蚀刻机范围,现在我国的技术水平已经到达了全国先辈行列,现在我国的7nm蚀刻机已经实现量产,此外由中微半导体生产研发的蚀刻机,在2019年的时候也顺遂经过了台积电5纳米工艺的考证。
中科院攻克2nm芯片关键技术,我国芯片制造是否已达到世界领先?  新闻


4、芯片制造最焦点的零部件光刻机,现在我国跟全国的先辈水平差异仍然很大。
尽管我国在芯片计划和部分芯片制造零部件上已经处于全国火线,可是在全部芯片制造进程傍边难度最大,技术要求最高的光刻机,中国跟全国先辈水平仍然有很大的差异。
当前我国真正实现量产的光刻机只要90纳米,45纳米的光刻机也是处于实验阶段,而28纳米以上的光刻机现在我国还没有把握成熟的技术,更不要说7纳米以上的光刻机了。
现在举世唯一可以大要把握7nm以上光刻机技术并实现量产的只要荷兰的asml一家,它几乎独霸了举世100%的市场份额。
中科院攻克2nm芯片关键技术,我国芯片制造是否已达到世界领先?  新闻


不外现在我国在光刻技的研发上也获得了一些进步。
比如2018年11月,由中国科学院光电技术研讨所所负担的国家庞大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”经过验收,该装备采取365nm波长的紫外光单次成像,实现了22纳米的分辨率,团结两重曝光技术后,未来另有大要用于制造10nm级此外芯片,这为我国芯片加工供给了全新的打点路子。
再比如2019年4月,武汉光电国家技术研讨中心甘棕松团队采取二束激光在自立研发的光刻胶上冲破了光束衍射极限,采取远场光学的法子,乐成刻出9nm线宽的线段,实现了从超分辨成像到超衍射极限光刻制造的庞大创新,这个技术冲破让我国冲破了三维纳米制造的国外技术独霸。
总之,近来几年我国的芯片制造气力进步很是明显,但与全国先辈水平的差异仍然比力大,不外依照现在我国芯片的研发进度,未来我信托我国跟全国先辈水平的差异会渐渐缩,甚至有大要超越全国先辈水平。

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