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天丫女人坊 「深度」小而美的20亿美元光刻胶市场 国产替代初见曙光雷影娉婷

发表于 2019-11-10 06:01 | 700 显示全部楼层 |阅读模式

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这是写在帖子头部的内容小而美二十亿美圆市,半导体制造焦点材料
半导体材料处于全部财富链的上游环节,对半导体财富起偏严重的支持感化,半导体材料可分为晶圆制造材料和封装材料,按照SEMI统计,2018年举世半导体材料销售额到达519亿美圆,其中晶圆制造材料和封装材料别离占62%和38%。封装材料技术壁垒较低,高技术壁垒的晶圆制造材料是焦点,大要可分为:硅片,光掩膜, 光刻胶,湿电子化学品(重如果高纯试剂和光刻胶帮助材料),CMP抛光材料(重如果抛光垫和抛光液),靶材,电子特种气体以及其他。
光刻胶作为光刻进程的焦点材料,其质量和性能间接决议集成电路的性能、良率。伴随着先辈节点所需光刻胶分辨率的提升以及屡次图形化技术的利用,光刻胶的本钱占比以及市场范围出现不停提升趋向,按照SEMI的数据,2018年光刻胶占晶圆制造材料比例约为5.4%,对应举世半导体光刻胶市场总范围为17.3亿美圆,估计2019年市场范围可达17.7亿元。


「深度」小而美的20亿美元光刻胶市场 国产替代初见曙光  新闻




光刻胶是微电子工艺制造中的关键材料,其技术道理是利用光化学反应经光刻工艺将所必要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上的图形转移介质,由成膜剂、光敏剂、溶剂和增加剂等重要化学品身分和其他助剂组成。在光刻工艺中,光刻胶被均匀涂布在硅片、玻璃和金属等差此外衬底上,经曝光、显影和蚀刻等工序将掩膜版上的图形转移到薄膜上,构成与掩膜版完全对应的几多图形。
光刻胶按照曝光和显影后的消融度变化可以分为正型光刻胶和负型光刻胶:
负型光刻胶:负胶在经过曝光后,遭到光照的部分变得不易消融,留下光照部分构成图形。胶是最早被利用在光刻工艺上的光刻胶典范,它具有工艺本钱低、产量高档优点。可是负胶在吸收显影液后会收缩,这会致使其分辨率不如正胶。是以负胶经常会被用于分立器件和中小范围集成电路平分辨率不太高的电路的建造中。
正型光刻胶:正胶在经过曝光后,遭到光照的部分将会变得轻易消融,只留下未遭到光照的部分构成图形;大范围集成电路、超大范围集成电路以及对感光灵敏度要求更高的集成电路(亚微米甚至更小尺寸的加工技术) 的建造,凡是会选用正胶来完成图形的转移。


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半导体集成度渐渐提升,ArF、EUV光刻胶成未来成长趋向
高端光刻胶市场需求成长性明显,国产化水平较低。半导体光刻胶随着市场对半导体产物小型化、功用多样化的要求,而不停经过收缩曝光波上进步极限分辨率,从而到达集成电路更高密度的集积。随着 IC 集成度的进步,全国集成电路的制程工艺水平按已由微米级、亚微米级、深亚微米级进入到纳米级阶段。为顺应集成电门路宽不停缩小的要求,光刻机的波长由紫外宽谱向g线(436nm)→i线(365nm) →KrF(248nm)→ArF(193nm)→F2、EUV(157nm)的偏向转移。


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ArF、EUV光刻胶叠加分辨率提升技术、屡次图形技术不停推动工艺节点进步, 为光刻胶技术未来成长重要趋向。对应差此外光刻技术必要配套响应分辨率的光刻胶,现在半导体市场上重要利用的光刻胶包含g线、i线、KrF、ArF四类光刻胶。同时伴随着卑鄙晶圆代工场商残朔芗局先辈工艺节点,由于正性(湿)ArF光刻胶团结分辨率增强技术可用于32nm/28nm工艺,采纳屡次图形技术,可以实现20 /14nm工艺(线宽均匀度(LWR)
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